次世代の半導体材料を開発する

世界で初めてトランジスタが開発された1950年代から、世界のエネルギー消費量は著しく増加しています。半導体素子を微細加工および集積化し、機器の性能を向上させることでこの問題に応えてきました。しかし、現在、材料の物性値の限界が近づいており、これ以上の大幅な性能の向上が困難になってきています。最も広く用いられているのはSiですが、現在、窒化アルミニウム(AlN)が次世代の材料として注目されています。私は、熱力学に基づいた計算により実験条件を考察し、AlN単結晶の成長を試みています。